產(chǎn)品分類(lèi)

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      Infineon IPD65R190C7ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPD65R190C7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPD65R190C7ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      the Infineon C7 超結(jié) mosfet 系列是革命性的技術(shù)進(jìn)步、可提供世界上最低的 rds (接通) / 封裝、并且由于其低切換損耗、在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)效率得到了提高。

      650V 電壓
      革命性杰出的 r ds ( on ) /
      減少輸出電容( eoss )中存儲(chǔ)的能量
      降低柵極電荷 qg
      通過(guò)使用更小的封裝或減少使用、節(jié)省空間 零件
      12 年超結(jié)技術(shù)制造經(jīng)驗(yàn)
      改進(jìn)的安全裕度、適用于開(kāi)關(guān)電源和太陽(yáng)能 變頻器應(yīng)用
      最低傳導(dǎo)損耗 / 封裝
      低切換損耗
      更好的輕負(fù)載效率
      提高功率密度
      卓越的 cool mos ?


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 49 A
      最大漏源電壓 700 V
      封裝類(lèi)型 PG-TO252
      安裝類(lèi)型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.9 o
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無(wú)

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