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      Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：TPH2R608NH,L1Q(M        品牌：東芝_Toshiba
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M MOSFET
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                            Toshiba MOSFET 由硅材料制成，具有 N 溝道 MOS 型。它主要用于高效率直流 - 直流轉換器和開關電壓調節器應用。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            高速切換 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    168 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    75 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    SOP
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    2.6e+006 Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    硅
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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