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      onsemi NVMFS6H800NT1G MOSFET

      訂 貨 號:NVMFS6H800NT1G      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      onsemi NVMFS6H800NT1G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。適用于汽車應(yīng)用。

      特點(diǎn)
      體積小巧 (5 x 6 mm)
      低 RDS(接通)
      低 QG 和電容
      NVMFS6H800NWF - 可潤側(cè)翼選件
      支持 PPAP

      優(yōu)點(diǎn)
      緊湊設(shè)計(jì)
      最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
      最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
      增強(qiáng)型光學(xué)
      檢驗(yàn)

      應(yīng)用
      開關(guān)電源
      電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
      48V 系統(tǒng)
      最終產(chǎn)品
      電動(dòng)機(jī)控制
      負(fù)載開關(guān)
      直流/直流轉(zhuǎn)換器


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 203 A
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 DFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 5
      最大漏源電阻值 2.1 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 200 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 6.1mm
      典型柵極電荷@Vgs 85 nC @ 10 V
      長度 5.1mm
      最高工作溫度 +175 °C
      暫無

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