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      Infineon IMBF170R650M1XTMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IMBF170R650M1XTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IMBF170R650M1XTMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      Infineon coolsic ? 1700 v 、 650 mΩ sic mosfet 采用 6-263-7 高爬電距離封裝,經(jīng)優(yōu)化可用于連接到直流鏈路電壓 600 v 到 1000 v 的輔助電源,適用于多種電源應(yīng)用。

      針對回彈拓撲進行了優(yōu)化
      極低切換損耗
      12 v / 0 v 柵 - 源電壓與回飛控制器兼容
      完全可控的 dv/dt 、用于 emi 優(yōu)化
      smd 封裝、具有增強的爬電距離和間隙距離、 > 7 mm


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 7.4 A
      最大漏源電壓 1700 V
      封裝類型 TO-263-7
      安裝類型 表面安裝器件
      引腳數(shù)目 7
      最大漏源電阻值 650 米Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4.5V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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