此 hex場 效應功率 mosfet 利用最新的處理技術(shù)、在每個硅片區(qū)域?qū)崿F(xiàn)極低的接通電阻。此設計的其他特點包括 175°c 結(jié)點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩
它無鉛
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 110 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | I2PAK (TO-262) |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.0065 Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |