Infineon 將最新的汽車 hex場 功率 mosfet 硅技術(shù)與先進(jìn) Advanced 封裝平臺結(jié)合，在采用 so-8 或 5X6mm p自 進(jìn)封裝及僅 0.7mm 外形的封裝中，可提供卓越的性能。該封裝與電源應(yīng)用、印刷電路板裝配設(shè)備和汽相、紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)等中使用的現(xiàn)有布局幾何結(jié)構(gòu)兼容。該封裝允許雙面冷卻、以最大程度地提高汽車電源系統(tǒng)中的熱傳遞。

先進(jìn)的工藝技術(shù)
邏輯水平
高功率密度