STMicroelectronics 高電壓 N 溝槽功率場效應管 (MOSFET) 屬于 MDmesh DM6 快速恢復二極管系列。與上一代 MDmesh 快速恢復二極管相比，DM6 具有非常低的恢復電荷 (Qrr)、恢復時間 (trr) 并在每個區域的 RDS(導通) 上獲得卓越提升，同時還兼具市場上最嚴苛高效橋接拓撲結構和 ZVS 相移轉換器的最有效切換方式。
符合 AEC-Q101 標準
快速恢復體二極管
與之前一代相比，每個區域 RDS(導通) 較低
低柵極電荷、低輸入電容和電阻
100% 通過雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 36 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | HU3PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
