產(chǎn)品分類

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      Microchip DN2625K4-G MOSFET

      訂 貨 號(hào):DN2625K4-G      品牌:Microchip

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Microchip DN2625K4-G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      DN2625 是一款低閾值耗盡型(常開)晶體管,采用先進(jìn)的垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。

      其他特點(diǎn):極低的柵極閾值電壓
      設(shè)計(jì)為源極驅(qū)動(dòng)
      低切換損耗
      低有效輸出電容
      設(shè)計(jì)用于感性負(fù)載
      當(dāng)由 MD2130 驅(qū)動(dòng)時(shí),可完美匹配低二次諧波


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 1.1 A
      最大漏源電壓 250 V
      封裝類型 TO-252
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 4
      最大漏源電阻值 3.5 Ω
      通道模式 消耗
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      寬度 6.1mm
      典型柵極電荷@Vgs 7.04 nC @ 1.5 V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      長(zhǎng)度 6.6mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無(wú)

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