優點：
低 RDS（接通）
動態 dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度
P 溝道 MOSFET
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 27 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 150 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 250 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 10.54mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 71 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.69mm |
