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隨著 650 V 器件的引入，超接合 MOSFET 的 M2 系列得以擴展，確保為更多堅固且可靠的應(yīng)用提供更高的安全界限。具有低接通電阻（采用 TO-220 封裝，低至 0.36Ω）及低柵極電荷和低輸入/輸出電容，可用于高效適配器、微型太陽能逆變器和照明應(yīng)用。

此器件是提供齊納保護的 N 通道功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH? 技術(shù)開發(fā)而成，通過優(yōu)化 ST 久享盛譽、基于條帶的 PowerMESH? 布局而實現(xiàn)。此外，此器件可顯著降低接通電阻，確保為最嚴(yán)苛的應(yīng)用提供高級別的 dv/dt 能力。

極高 dv/dt 能力
ESD 能力改進
通過 100% 雪崩測試
將柵極電荷降至最低
提供齊納保護