隨著 650 V 器件的引入，超接合 MOSFET 的 M2 系列得以擴展，確保為更多堅固且可靠的應用提供更高的安全界限。具有低接通電阻（采用 TO-220 封裝，低至 0.36Ω）及低柵極電荷和低輸入/輸出電容，可用于高效適配器、微型太陽能逆變器和照明應用。
此器件是提供齊納保護的 N 通道功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH? 技術開發而成，通過優化 ST 久享盛譽、基于條帶的 PowerMESH? 布局而實現。此外，此器件可顯著降低接通電阻，確保為最嚴苛的應用提供高級別的 dv/dt 能力。
極高 dv/dt 能力
ESD 能力改進
通過 100% 雪崩測試
將柵極電荷降至最低
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2.3 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | TO220AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 3.3 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 寬度 | 4.6mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 10.4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 11 nC @ 10 V |
