這些設(shè)備是采用 MDmesh? M2 技術(shù)開發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET。得益于其條狀布局和改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu),這些設(shè)備具有低接通電阻和優(yōu)化的切換特點,非常適合最嚴(yán)苛的高效率轉(zhuǎn)換器。
極低柵極電荷
極佳的輸出電容 (COSS) 曲線
經(jīng)過 100% 雪崩測試
齊納保護(hù)
極低 Qg 可提高效率
為諧振電源(LLC 轉(zhuǎn)換器)優(yōu)化的柵極電荷和電容曲線
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 22 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | I2PAK |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 150 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 170 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | +25 V |
寬度 | 4.6mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 36 nC @ 10 V |
長度 | 10.4mm |
最高工作溫度 | +150 °C |