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      Infineon FF6MR12KM1BOSA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：FF6MR12KM1BOSA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環 球 價：
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               Infineon FF6MR12KM1BOSA1 MOSFET
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                            Infineon 62 mΩ 1200 v 、 6 μ m 半橋模塊，帶有 cool sic ? mosfet 。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            高電流密度
      低切換損耗
      卓越的柵極氧化物可靠性
      高穩定性、防潮
      堅固的集成主體二極管、從而實現最佳熱條件 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    250 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    1200 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    Ag- 62mm
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    螺絲安裝
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    5.81 米Ω
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    3.45V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
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