Infineon 100V 功率 mosfet 特別適用于電信模塊的同步整流、包括 or-ing 、熱插拔和電池保護(hù)、以及服務(wù)器電源應(yīng)用。與類似設(shè)備相比、該設(shè)備的 rds (接通)更低、達(dá) 22% 、是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 fom 的最大貢獻(xiàn)之一、它具有低通態(tài)電阻、可提供最高水平的功率密度和效率。
通過 100% 雪崩測試
符合用于目標(biāo)應(yīng)用的符合 dec 標(biāo)準(zhǔn)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 180 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | Pg - TO263 - 7 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0024 o |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 3.8V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |