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onsemi FDD86113LZ MOSFET

訂貨號(hào)：FDD86113LZ 品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過(guò)沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	5.5 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	170 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	29 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+150 °C
典型柵極電荷@Vgs	3.7 nC @ 10 V
晶體管材料	Si
長(zhǎng)度	6.73mm
寬度	6.22mm

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