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      onsemi NTH4L080N120SC1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：NTH4L080N120SC1        品牌：安森美_Onsemi
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               onsemi NTH4L080N120SC1 MOSFET
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                            on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 29 安培和 1200 伏的電流運行。它可用于不間斷電源、升壓逆變器、工業電動機驅動器、 pv 充電器。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            110mO 漏極到電源接通電阻
      超低柵極電荷
      通過 100% 雪崩測試
      無鉛
      符合 RoHS 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    29 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    1200 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-247
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    4
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.11 Ω
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4.3V
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    SiC
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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