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      英飛凌 IPB020N10N5ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPB020N10N5ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      英飛凌 IPB020N10N5ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon 的最新一代 OptiMOS? 5 100V 功率 MOSFET 專門設(shè)計(jì)用于電信系統(tǒng)和服務(wù)器電源的同步整流。此外,這些器件還可用于其他工業(yè)應(yīng)用,如太陽能、低電壓驅(qū)動器和適配器。新款 OptiMOS? 5 100V MOSFET 采用七種不同封裝,提供業(yè)內(nèi)最低的 R DS(on)。

      經(jīng)優(yōu)化可用于同步整流
      特別適用于高切換頻率
      輸出電容下降多達(dá) 44%
      與上一代產(chǎn)品相比,R DS(on) 下降多達(dá) 43%
      優(yōu)點(diǎn):
      最高系統(tǒng)效率
      減少切換和傳導(dǎo)損耗
      所需并聯(lián)減少
      功率密度增加
      低電壓過沖
      目標(biāo)應(yīng)用:
      電信
      服務(wù)器
      太陽能
      低電壓驅(qū)動器
      輕型電動車
      適配器


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 176 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 TO 263
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3 + 2 Tab
      最大漏源電阻值 2.5 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3.8V
      最小柵閾值電壓 2.2V
      最大功率耗散 375 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      典型柵極電荷@Vgs 168 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +175 °C
      寬度 11.05mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      長度 10.31mm
      暫無

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