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      Infineon IPN60R600P7SATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPN60R600P7SATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPN60R600P7SATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon P7 超結(jié)( sj ) mosfet 設(shè)計出色的性能和易用性、可改善外形和價格競爭力、從而應(yīng)對低功率開關(guān)電源市場的典型挑戰(zhàn)。這款采用了此種方法的、具有成本效益的一對一嵌入式 dak 替代產(chǎn)品、還可在某些設(shè)計中減少印跡。它可放置在典型的 dak 印跡上、并顯示可比較的熱性能。這種組合使 P7 它在型式、采用型、為其目標(biāo)應(yīng)用提供了完美的安裝。700V 和 800V cool mos P7 經(jīng)優(yōu)化可用于回飛拓?fù)洹?00V cool mos P7 sj mosfet 適用于硬切換拓?fù)洌?fly back 、 pfc 和 llc )和開關(guān)拓?fù)洹?

      易于使用、通過低振鈴趨勢進(jìn)行快速設(shè)計 和用法
      ?跨 pfc 和 pwm 級
      由于低切換和傳導(dǎo)、簡化了熱管理
      ?損失
      通過使用產(chǎn)品 swith 實(shí)現(xiàn)更高的功率密度解決方案
      ?>采用 2kVESD 、體積更小、制造質(zhì)量更高
      ?保護(hù)
      適用于各種應(yīng)用和功率范圍


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 16 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 PG-SOT223
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.6 o
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      每片芯片元件數(shù)目 4
      暫無

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