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      Infineon IPDD60R190G7XTMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPDD60R190G7XTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPDD60R190G7XTMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      Infineon 技術(shù)引入了雙 dak (ddpack) ,這是首款頂部冷卻表面安裝設(shè)備 (smd )封裝,適用于 pc 電源、太陽能、服務(wù)器和電信等高功率開關(guān)電源應(yīng)用。現(xiàn)有的高電壓技術(shù) 600V coolmos ? G7 超接點( sj ) mosfet 的優(yōu)勢與創(chuàng)新的頂部冷卻概念相結(jié)合,為高電流硬切換拓撲(如 pfc )提供系統(tǒng)解決方案,并為 llc 拓撲提供高端效率解決方案。

      實現(xiàn)最高能效
      板和半導(dǎo)體的熱去耦可克服熱印刷電路板限制
      寄生源電感降低、提高效率和易用性
      支持更高的功率密度解決方案
      高品質(zhì)標準


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 13 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 DDPAK
      引腳數(shù)目 10
      最大漏源電阻值 190 米Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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