Infineon 技術(shù)引入了雙 dak (ddpack) ,這是首款頂部冷卻表面安裝設(shè)備 (smd )封裝,適用于 pc 電源、太陽能、服務(wù)器和電信等高功率開關(guān)電源應(yīng)用。現(xiàn)有的高電壓技術(shù) 600V coolmos ? G7 超接點( sj ) mosfet 的優(yōu)勢與創(chuàng)新的頂部冷卻概念相結(jié)合,為高電流硬切換拓撲(如 pfc )提供系統(tǒng)解決方案,并為 llc 拓撲提供高端效率解決方案。
實現(xiàn)最高能效
板和半導(dǎo)體的熱去耦可克服熱印刷電路板限制
寄生源電感降低、提高效率和易用性
支持更高的功率密度解決方案
高品質(zhì)標準
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | DDPAK |
引腳數(shù)目 | 10 |
最大漏源電阻值 | 190 米Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |