on ON Semiconductor n 溝道 1200V mosfet 采用全新技術、與硅相比、可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此、系統優勢包括最高效率、 Faster 操作頻率、增加功率密度、降低 emi 和減小系統尺寸。
連續漏極電流額定值為 19.5a
漏極到電源接通電阻額定值為 224mohm
超低柵極電荷
高速切換和低電容
100% 雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 19.5 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | D2PAK - 7L |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 225 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.3V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
