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      Microchip 2N7000-G MOSFET

      訂 貨 號(hào):2N7000-G      品牌:Microchip

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Microchip 2N7000-G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      2N7000 是一款增強(qiáng)型(常閉)晶體管,采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關(guān)和放大應(yīng)用。

      無次級(jí)擊穿
      低功率驅(qū)動(dòng)要求
      易于并聯(lián)
      低 CISS 和快速切換速度
      極好的熱穩(wěn)定性
      一體式源極-漏極二極管
      高輸入阻抗和高增益


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 200 mA
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 TO-92
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 5.3 Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3V
      最小柵閾值電壓 0.8V
      最大功率耗散 1 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 30 V
      寬度 4.06mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      長(zhǎng)度 5.08mm
      暫無

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