產(chǎn)品分類

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      Microchip VP2450N8-G MOSFET

      訂 貨 號(hào):VP2450N8-G      品牌:Microchip

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Microchip VP2450N8-G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      這款低閾值增強(qiáng)型(常閉)晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用。

      無(wú)次級(jí)擊穿
      低功率驅(qū)動(dòng)要求
      易于并聯(lián)
      低 CISS 和快速切換速度
      高輸入阻抗和高增益
      極好的熱穩(wěn)定性
      一體式源極-漏極二極管


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 160 mA
      最大漏源電壓 500 V
      封裝類型 SOT-89
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 35 Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 1.5V
      最大功率耗散 1.6 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      長(zhǎng)度 4.6mm
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 2.6mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無(wú)

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