SuperFET? III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術實現出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常適合用于各種電源系統，以實現小型化和更高的效率。
TJ = 150 oC 時為 700 V
低溫運行時系統可靠性更高
超低柵極電荷（典型 Qg = 30 nC）
低切換損耗
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 277 pF）
低切換損耗
優化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
內部柵極電阻：7.0 Ω
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
典型 RDS（接通）= 170 m?
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 14 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 2 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 199 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 98 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 長度 | 10.67mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 9.65mm |
