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      Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：FF6MR12W2M1B11BOMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
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               Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 MOSFET
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                            Infineon 6 mo 、 1200 v 半橋模塊采用碳化硅 mosfet 、具有 ntc 溫度傳感器和壓配觸點技術。它還提供熱接口材料。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            高電流密度
      低電感設計
      低切換損耗
      符合 rohs 標準的模塊 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    200 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    1200 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    Easy 2B ? / 模塊
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    35
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.00825 Ω μ m
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    5.55V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    2
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    SiC
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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