產(chǎn)品分類(lèi)

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      Infineon IPD60R2K0C6ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPD60R2K0C6ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPD60R2K0C6ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      the Infineon coolmos 是一項(xiàng)革命性的高電壓功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù)、它根據(jù)超接線( sj )原理設(shè)計(jì)、由 Infineon 技術(shù)開(kāi)創(chuàng)。coolmos C6 系列將領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)與高級(jí)創(chuàng)新相結(jié)合。提供的器件具有快速切換 sj mosfet 的所有優(yōu)點(diǎn)、同時(shí)不會(huì)降低易用性。極低的切換和傳導(dǎo)損耗使切換應(yīng)用更高效、更緊湊、更輕、更涼爽。

      易于使用 / 驅(qū)動(dòng)
      完全符合工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的符合 dec 標(biāo)準(zhǔn)


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 2.4 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類(lèi)型 PG-TO252
      安裝類(lèi)型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 2 o
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3.5V
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無(wú)

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