Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速開關(guān)特性。它主要用于高效直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器和電動機驅(qū)動器。
低漏 - 源導(dǎo)通電阻 0.41 m ?
存儲溫度 -55°c 至 175 ° c
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 150 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SOP |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.89 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.4V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |