on ON Semiconductor （ sic ） n 溝道 mosfet 采用全新技術、與硅相比、可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此、系統優勢包括最高效率、 Faster 操作頻率、增加功率密度、降低 emi 和減小系統尺寸。
低接通電阻 80mohm 型
高接點溫度
超低柵極電荷
低有效輸出電容
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 30 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | D2PAK - 7L |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 110 mΩ |
| 最大柵閾值電壓 | 4.3V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
