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      Fairchild Semiconductor FDFMA2P029Z MOSFET

      訂 貨 號:FDFMA2P029Z      品牌:IRC

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Fairchild Semiconductor FDFMA2P029Z MOSFET
      產品詳細信息

      P 通道 PowerTrench? MOSFET MOSFET,帶肖特基二極管,Fairchild Semiconductor

      設計用于手機及其他超便攜式應用中的電池充電開關
      獨立連接的低正向電壓肖特基二極管可實現最小的傳導損耗

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 P
      最大連續漏極電流 3.1 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 MLP
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 6
      最大漏源電阻值 141 mΩ
      通道模式 增強
      最大功率耗散 1.4 W
      最大柵源電壓 -12 V、+12 V
      典型柵極電荷@Vgs 7 nC @ 10 V
      寬度 2mm
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數目 1
      長度 2mm
      暫無

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