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      Toshiba TK099V65Z,LQ(S MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：TK099V65Z,LQ(S        品牌：東芝_Toshiba
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環 球 價：
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               Toshiba TK099V65Z,LQ(S MOSFET
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                            Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切換特性和較低的電容。它主要用于開關電源。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            低漏 - 源導通電阻 0.08 ？
      存儲溫度 -55 至 150°c 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    30 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    650 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    DFN8x8
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    5
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.09. Ω
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
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                    晶體管材料
                    硅
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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