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      Infineon IPT60R150G7XTMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPT60R150G7XTMA1      品牌:IPT

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Infineon IPT60R150G7XTMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon CoolMOS C7 鍍金超結(jié) MOSFET 系列 (G7) 結(jié)合了改進(jìn)的 600V CoolMOS ? C7 鍍金技術(shù)的優(yōu)點(diǎn), 4 引腳 Kelvin 源容量和 TO 無鉛 (Toll) 封裝的改進(jìn)熱特性,可為高達(dá) 3kW 的高電流硬切換拓?fù)?(如功率因數(shù)校正 (PFC)) 和高端 LLC 等諧振電路提供可能的 SMD 解決方案。

      提供杰出 FOM R DS (on) XE OSS 和 R DS (on) XQ G
      以最小的占用空間啟用杰出 R DS (on)
      內(nèi)置第 4 引腳 Kelvin 源配置和低寄生源電感 (~1nH)
      符合 MSL1 標(biāo)準(zhǔn),完全無鉛,具有輕松的 Visual 檢查槽形引線
      可提高熱性能
      由于改進(jìn)的 C7 Gold 技術(shù)和更快的切換速度,效率更高
      由于具有低 R DS (on) 和小尺寸,通過更換封裝 (高度限制) 或由于熱或 R DS (on) 要求而并聯(lián) SMD 封裝,提高了功率密度


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 23 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 PG-HSOF-8.
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 0.15. Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無

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