Fairchild 使用超級結技術增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅固主體二極管性能，適用于要求高功率密度、系統效率和可靠性的交流-直流開關模式電源 (SMPS) 應用，如服務器、電信、計算、工業電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應用。
利用先進的電荷平衡技術，設計人員可實現更高效經濟的高性能解決方案，可占用更少板空間并提高可靠性。
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 4.5 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 900 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 52 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.73mm |
| 寬度 | 2.39mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
