Infineon IMW120R090M1HXKSA1 MOSFET 采用 TO247-3 封裝，基于最先進(jìn)的溝道半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過(guò)優(yōu)化可將性能與可靠性相結(jié)合。與基于傳統(tǒng)硅 (Si) 的開(kāi)關(guān) (如 IGBT 和 MOSFET) 相比， SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢(shì)。這些包括 1200 V 開(kāi)關(guān)中的最低柵極電荷和器件電容水平，內(nèi)部防換向主體二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗，溫度獨(dú)立的低切換損耗和無(wú)閾值通態(tài)特性。

非常低的切換損耗
無(wú)閾值開(kāi)啟狀態(tài)特性
寬柵源電壓范圍
基準(zhǔn)柵極閾值電壓， VGS (th) = 4.5 V
0V 關(guān)閉柵極電壓，用于輕松簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
完全可控制 dV/dt
堅(jiān)固的主體二極管，用于硬換向
溫度無(wú)關(guān)的關(guān)閉開(kāi)關(guān)損耗