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      ROHM SCT2H12NYTB MOSFET

      訂 貨 號:SCT2H12NYTB      品牌:羅姆_ROHM

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      ROHM SCT2H12NYTB MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      低接通電阻
      快速切換速度
      長爬電距離,無中心引線
      易于驅(qū)動
      無鉛引線電鍍,符合 RoHS 標準


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 4 A
      最大漏源電壓 1700 V
      封裝類型 TO-268
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 2 + Tab
      最大漏源電阻值 1.71 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 1.6V
      最大功率耗散 44 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 22 V
      典型柵極電荷@Vgs 14 nC @ 18 V
      最高工作溫度 +175 °C
      晶體管材料 SiC
      長度 15.95mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 13.9mm
      暫無

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