產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
       
    
    

   
      
     
      
        
      
         
      
         
      分類：
               
       工業(yè)電氣產(chǎn)品    工業(yè)控制產(chǎn)品    傳感測量產(chǎn)品    儀表工具產(chǎn)品    工業(yè)電子產(chǎn)品    機械設(shè)備產(chǎn)品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      Infineon IMBG65R039M1HXTMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IMBG65R039M1HXTMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價：
                                     登陸后可查看
                                   
                      
                  
      
                  
      
               
      
               
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品 
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      • 產(chǎn)品介紹 
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      • 產(chǎn)品屬性
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      • 相關(guān)資料
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      • 產(chǎn)品評價（0）
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               Infineon IMBG65R039M1HXTMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                
                    
      
                        
                            英飛凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC，基于固體碳化硅技術(shù)，利用寬帶隙 SiC 材料特性，650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的獨特組合，適用于在高溫和惡劣環(huán)境中操作，可實現(xiàn)最高系統(tǒng)效率的簡化和具有成本效益的部署。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            更高電流時的優(yōu)化切換行為,
      切換堅固的快速主體二極管,具有低 Qf,
      卓越的
      柵極氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的熱性行為,
      較低的 RDS(接通)和脈沖電流依賴溫度,
      增強的浪涌能力,
      與標準驅(qū)動器兼
      容,Kelvin 源提供高達 4 倍低的切換損耗 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    54 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    650 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-263
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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