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      Microchip VN10KN3-G MOSFET

      訂 貨 號:VN10KN3-G      品牌:Microchip

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Microchip VN10KN3-G MOSFET
      產品詳細信息

      Microchip Technology

      Microchip Technology 通孔安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型老化產品、在 5ohms 柵源電壓下具有 10V 的漏源電阻。它具有 60V 的放電源電壓和 30V 的最大柵源電壓。它具有 310mA 的連續漏電流和 1W 的最大功耗。 此晶體管的最小和最大驅動電壓分別為 5V 和 10V 。MOSFET 是一種增強模式(通常關閉)晶體管、采用垂直 DMOS 結構和經過充分驗證的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該設備是所有 MOS 結構的一個重要特征、不會出現熱失控和熱誘發的二次擊穿。此垂直 DMOS FET 已針對更低的開關和傳導損耗進行了優化。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。

      特點和優勢

      ?易于并行
      ? 極好的熱穩定性
      ?無需二次故障
      ?高輸入阻抗和高增益
      ?集成源排放二極管
      ?低 CISS 和快速切換速度
      ?低功率驅動要求
      ?工作溫度范圍在 -55°C 和 150°C 之間

      應用

      ?放大器
      ? 轉換器
      ?驅動器(繼電器、液壓錘、電磁閥、燈、存儲器、顯示器、雙極晶體管等)
      ?電機控制
      ?電源電路
      ? 開關

      認證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007
      ? JEDEC


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 310 mA
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 TO-92
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 7.5 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2.5V
      最小柵閾值電壓 0.8V
      最大功率耗散 1 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 30 V
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 5.08mm
      寬度 4.06mm
      每片芯片元件數目 1
      暫無

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