ON Semiconductor 系列 SUPERFET V MOSFET 是 ON Semiconductor 的第五代高電壓超?Ω 接點 (SJ) MOSFET 系列。SUPERFET V 可提供?Ω?類 FOM (RDS (接通)·QG 和 RDS (接通)·EOSS) 中最佳的 Ω ，不僅可提高大負載，還可提高輕負載效率。600 V SUPERET V 系列通過減少傳導和切換損耗提供設計優勢，同時支持 120 V/ns 的極端 MOSFET DVD/dt 額定值和 50 V/ns 的高主體二極管 DVD/dt 額定值。因此， SUPERFET V MOSFET Easy Drive 系列結合了出色的切換性能，同時不影響硬切換和軟切換拓撲的易用性。它有助于管理 EMI 問題，并通過出色的系統效率簡化設計實施。
超低柵極電荷 (典型值 QG= 48 nC)
低切換損耗
與時間相關的低輸出電容 (典型值 Coss (tr) = 642 pF)
低切換損耗
優化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
650 V @ TJ = 150°C
典型值 RDS (接通) = 79.2 m Ω
經過 100% 雪崩測試
符合 RoHS
內部柵極電阻： 6.9 Ω
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 33 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.099 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
