SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列,利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的切換性能,并能承受極端的 dv/dt 速率。因此,SuperFET III MOSFET 非常適合用于各種電源系統(tǒng),以實現(xiàn)小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET? MOSFET 中主體二極管的反向恢復(fù)性能經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,無需額外器件,并能提高系統(tǒng)可靠性。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 36 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 95 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 272 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 長度 | 10.67mm |
| 寬度 | 4.7mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 66 nC @ 10 V |