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訂 貨 號:NTD5C434NT4G 品牌:安森美_Onsemi
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
40 V,2.1 m,160 A,單 N 通道 DPAK 功率 MOSFET
特征:
低接通電阻
高電流容量
優(yōu)點(diǎn):
最低傳導(dǎo)損耗
可靠負(fù)載性能
電壓過應(yīng)力保護(hù)
應(yīng)用:
交流-直流電源轉(zhuǎn)換
直流-直流電源轉(zhuǎn)換
電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
最終產(chǎn)品:
電動(dòng)工具
電源
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 160 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | DPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.1 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 120 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
最高工作溫度 | +175 °C |
寬度 | 6.22mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 6.73mm |
典型柵極電荷@Vgs | 80.6 nC @ 10 V |