Infineon p 通道邏輯電平 MOSFET 具有最低的切換和傳導(dǎo)功率損耗,以實現(xiàn)最高熱效率。它采用堅固的封裝,具有卓越的質(zhì)量和可靠性。它經(jīng)過 100% 雪崩測試。
它符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)
高側(cè)驅(qū)動器無需電荷泵
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 120 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | TO-220 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.0034 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |