這款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先進 PowerTrench? 工藝生產，該工藝內置了屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。
最大 RDS （開） = 4.5 mΩ 、 VGS = 10 V 、 ID = 128 A
功率密度和屏蔽式澆口功率密度和屏蔽式澆口高效率 / 高性能
適用于極低 RDS（接通）的高性能通道技術
高功率密度，帶屏蔽柵極技術
反向恢復電荷 Qrr 極低
低 Vds 尖峰內部阻尼函數。
低柵極電荷、 QG = 48nC （典型）
低切換損耗
出色的電源和電流處理能力
低 Qrr/Trr
軟恢復性能
適用于 ATX/服務器/工作站/電信 PSU/適配器和工業電源的同步整流。
電機驅動器和不間斷電源
微型太陽能變頻器
服務器
電信
計算（ATX、工作臺、適配器、工業電源等）
電動機驅動器
不間斷電源
光伏逆變器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 128 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 4.5mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 長度 | 10.36mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 48 nC @ 10 V |
| 寬度 | 4.67mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
