Fairchild 推出了新一代 600V 超級結 MOSFET - SupreMOS?。
與 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和總柵極電荷讓品質因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列為相同的 RDS（接通）提供低柵極電荷，提供極佳的切換性能，切換和傳導損耗降低 20%，從而獲得更高的效率。
這些特征讓電源符合用于臺式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黃金分類和用于服務器的白金分類。
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 6.8 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-220F |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 520 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 30.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.9mm |
| 長度 | 10.36mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 17.8 nC @ 10 V |
