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SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超級能效 iii mosfet 非常適合用于各種電源系統(tǒng)，以實現(xiàn)小型化和更高的效率。超級能效 iii rfet ? mosfet 優(yōu)化的主體二極管反向恢復(fù)性能，可以消除額外的組件并提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150°C 時為 700 V
典型值 rds （接通） = 114 m
超低柵極電荷（典型 Qg = 33 nC）
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 345 pF）
這些設(shè)備無鉛
應(yīng)用
汽車車載充電器
用于混合動力汽車的汽車直流 / 直流轉(zhuǎn)換器