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      Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPD60N10S4L12ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon mosfet 設(shè)計又聞名于“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設(shè)備。“場效應(yīng)”代表設(shè)備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。

      綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
      符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)
      用于汽車應(yīng)用的功率 mosfet


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 60 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 Pg - TO252 - 3 - 313
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.012. Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2.1V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料
      暫無

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