新型 MDMESH ? M6 技術(shù)融合了著名的整合式 MDSJ MOSFET 系列的最新進(jìn)步。STMicroelectronics 通過其全新 M6 技術(shù)構(gòu)建了上一代 MDMESH 設(shè)備、該技術(shù)將出色的 RDS (接通)每個區(qū)域改進(jìn)與最有效的交換行為之一結(jié)合在一起、并提供用戶友好的體驗、以實現(xiàn)最大的最終應(yīng)用效率。
減少切換損耗
與上一代相比、每個區(qū)域的 RDS (接通)更低
低澆口輸入電阻
提供齊納保護(hù)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
封裝類型 | TO-220FP |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 280 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4.75V |
最小柵閾值電壓 | 3.25V |
最大功率耗散 | 25 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±25 V |
寬度 | 4.6mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 10.4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 16.8 nC @ 10 V |