Infineon 汽車認證單 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 D2-Pak 封裝。功率 MOSFET 的蜂窩設計利用最新的處理技術實現每個硅區域的低接通電阻。由于快速切換速度和耐震設備，它可用于汽車和各種應用。
Advanced 平面技術
動態 DV/dT 額定值
175°C 工作溫度
快速切換
無導線
符合 RoHS
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 31 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.065 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
