STMicroelectronics 功率 mosfet 器件使用 st 的 Advanced 和創新的 2nd generation sic mosfet 技術開發而成。該設備的每個裝置區域具有非常低的接通電阻和非常好的切換性能。開關損耗的變化幾乎獨立于接點溫度。
極高的工作接點溫度能力（ tj = 200 °c ）
非常快速且堅固的固有主體二極管
極低柵極電荷和輸入電容
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續漏極電流 | 36 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | HiP247 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.7 o |
| 最大柵閾值電壓 | 4.9V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
