the Infineon ex場 ? 功率 mosfet 專為持續供電而設計
等離子顯示面板中的能量回收和通過開關應用。此 mosfet 利用最新的處理技術實現每個硅區域低接通電阻和低 e 脈沖額定值。
先進的工藝技術
主要參數針對 pdp 持續性、能量回收和通過開關應用進行了優化
低 epulse 額定值、可減少 pdp 可持續、能量回收和通過開關應用中的功耗
低 qg 、用于快速響應
高 Peak 電流容量、確保可靠操作
短下降和上升時間、用于快速切換
175°c 工作接點溫度、用于改善堅固性
重復雪崩能力、確保堅固性和可靠性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 45 A |
| 最大漏源電壓 | 250 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 最大漏源電阻值 | 48 個月 |
