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      Infineon IPT030N12N3GATMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IPT030N12N3GATMA1        品牌：IPT
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
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               Infineon IPT030N12N3GATMA1 MOSFET
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                            Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 特別適用于電池供電設備，可在額外的電壓擊穿邊距和低通態電阻之間實現最佳平衡。它可用于輕型電動車，低電壓驅動器和電池供電工具。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            高功率密度和改進的熱管理
      所需的板空間更少
      系統效率高，所需并聯更少 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    237 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    120 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    HSOF
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.003 Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
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