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      onsemi NVMFD6H852NLWFT1G MOSFET

      訂 貨 號:NVMFD6H852NLWFT1G      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

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      onsemi NVMFD6H852NLWFT1G MOSFET
      產品詳細信息

      體積小巧 (5 x 6 mm),可實現緊湊設計
      低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導損耗
      低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
      NVMFD6H852NLWF ? 可潤側翼選件,用于增強型光學檢驗
      支持 PPAP
      這些設備無鉛


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 25 A
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 DFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 8
      最大漏源電阻值 31.5 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 3.2 W
      晶體管配置 雙路
      最大柵源電壓 ±20 V
      長度 6.1mm
      最高工作溫度 +175 °C
      典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
      寬度 5.1mm
      每片芯片元件數目 2
      暫無

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