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Infineon IMW120R140M1HXKSA1 MOSFET 采用 TO247-3 封裝，基于最先進的溝道半導體工藝構(gòu)建，經(jīng)過優(yōu)化可將性能與可靠性相結(jié)合。與基于傳統(tǒng)硅 (Si) 的開關(guān) (如 IGBT 和 MOSFET) 相比， SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢。這些包括 1200 V 開關(guān)中的最低柵極電荷和器件電容水平，內(nèi)部防換向主體二極管無反向恢復損耗，溫度獨立的低切換損耗和無閾值通態(tài)特性。

非常低的切換損耗
無閾值開啟狀態(tài)特性
寬柵源電壓范圍
基準柵極閾值電壓， VGS (th) = 4.5 V
0V 關(guān)閉柵極電壓，用于輕松簡單的柵極驅(qū)動
完全可控制 dV/dt
堅固的主體二極管，用于硬換向
溫度無關(guān)的關(guān)閉開關(guān)損耗