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      Infineon F423MR12W1M1B76BPSA1 MOSFET

      訂 貨 號:F423MR12W1M1B76BPSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon F423MR12W1M1B76BPSA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      Infineon IGBT 模塊 FET 類型為 4 個 N 通道(半橋),可在 1200V 漏源電壓和 45A 連續(xù)漏極電流下工作。

      底盤安裝
      -40°C 至 150°C 工作溫度


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 45 A
      最大漏源電壓 1200 V
      封裝類型 AG-EASY1B-2
      安裝類型 底盤安裝
      最大漏源電阻值 0.0225 Ω
      最大柵閾值電壓 5.55V
      晶體管材料 SiC
      暫無

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